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唐翠霞; 唐敬友; 寇自力; 刘雨生; 贺红亮;
西南科技大学材料科学与工程学院,绵阳,621010;
西南科技大学国防科技学院,绵阳,621010;
四川大学原子分子物理研究所,成都,610065;
中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理实验室,绵阳,621900;
立方氮化硅; 高压合成; 晶体结构; 性能; 块体材料;
机译:氮化硅上GeSbTe薄膜的非晶-立方和立方-六方相变温度的厚度依赖性
机译:磁场和脉冲等离子体增强化学气相沉积法制备环境电池透射电子显微镜用非晶碳氮化硅膜片的研究进展
机译:氮化硅纳米陶瓷的制备-粉末的制备与烧结研究进展
机译:氮化硅器件中基于胶体量子点的片上单光子源的研究进展
机译:氮化硅晶须增强的氮化硅复合陶瓷的蠕变和力学性能。
机译:透明多晶立方氮化硅
机译:基于氮化硅器件中胶体量子点的片上单光子源的研究进展
机译:开发一种经过统计验证的反应键合氮化硅注射成型方法,烧结反应键合氮化硅和烧结氮化硅。最终报告,1985年7月1日至1986年6月30日
机译:新型立方氮化硅,可用于生产硬质材料,陶瓷和复合材料,例如生产例如用于光学,声学,磁性或电子目的的研磨和切割工具。通过氮化硅
机译:立方尖晶石型氮化硅的分离,纯化方法
机译:具有立方尖晶石结构的高压相氮化硅及其制造方法
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