离子束溅射Si薄膜的低温晶化生长

宋超; 杨瑞东; 冯林永; 杨宇

首页> 中文期刊> 《材料导报》 >离子束溅射Si薄膜的低温晶化生长

离子束溅射Si薄膜的低温晶化生长

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用离子束溅射技术,在低生长束流(4～10 mA)范围内,对低温(25～300 ℃)Si薄膜的晶化进行了研究.由Raman和XRD表征分析得出:在300℃采用6mA的生长束流,可在硅衬底上得到结晶性和完整性较好的Si外延薄膜;25℃时,在硅衬底上得到Si薄膜的多晶结构,实现了Si薄膜的低温晶化生长.

著录项

来源
《材料导报》 |2007年第8期|140-142|共3页
作者
宋超; 杨瑞东; 冯林永; 杨宇;
展开▼
作者单位

云南大学材料科学与工程系,昆明,650091;

云南大学材料科学与工程系,昆明,650091;

云南大学材料科学与工程系,昆明,650091;

云南大学材料科学与工程系,昆明,650091;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
Si薄膜; 离子束溅射; 束流; 低温;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究 [J] . 邓书康 ,陈刚 ,高立刚 . 功能材料 . 2004,第0z1期
2. 双离子束溅射非晶SiOxNy薄膜的光致发光研究 [J] . 成珏飞 . 信息记录材料 . 2007,第004期
3. 双离子束溅射制备非晶SiOxNy薄膜的强黄光发射 [J] . 瞿发俊 ,徐华 ,吴雪梅 . 功能材料 . 2006,第003期
4. Si(111)衬底上离子束溅射沉积法生长β-FeSi2薄膜的研究 [J] . 李强 ,王海燕 . 功能材料 . 2006,第011期
5. 氢稀释对纳米晶硅薄膜晶化特性的影响及薄膜生长机理 [J] . 于威 ,詹小舟 ,李彬 . 光子学报 . 2012,第8期
6. 离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究 [C] . 邓书康 ,陈刚 ,高立刚 . 第五届中国功能材料及其应用学术会议 . 2004
7. SiGe薄膜的PECVD制备与Al诱导低温晶化 [A] . 沈晓彦 . 2008

离子束溅射Si薄膜的低温晶化生长

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅