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离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究

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用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶硅(a-Si)薄膜,用双四探针法测量了不同温度下的电阻率,用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微结构.结果发现随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率逐渐增大,衬底温度为室温的a-Si薄膜质量较好且从其表面形貌可观察到少量Si晶粒的存在.

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来源
《第五届中国功能材料及其应用学术会议》|2004年|1116-1118|共3页
会议地点秦皇岛
作者
邓书康; 陈刚; 高立刚; 陈亮; 俞帆; 方静华; 杨宇;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国金属学会;

中国稀土学会;

中国复合材料学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
离子束溅射; 非晶硅; 喇曼散射; 电阻率; 薄膜;

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