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董建明; 张波; 刘进; 赵科巍; 罗晓斌; 赵彩霞;
山西潞安太阳能科技有限责任公司,长治046001;
直拉法; 位错; 单晶生长; 杂质; 热场;
机译:直拉法生长硅单晶的微缺陷尺寸
机译:用直拉法分析硅单晶生长过程中点缺陷和腔缺陷形成能的第一性原理(掺杂类型和浓度依赖性)
机译:重新探讨熔体中无缺陷硅单晶生长的v / G准则:对大直径晶体的影响
机译:磁场作用下对直晶硅单晶中氧的控制
机译:批判了三个中世纪晚期法国壁画的重要版本:“拉法拉奇德雷纳尔”,“拉法拉奇德乔利埃”,“拉法拉奇德科林”
机译:基于MiRNA的探讨探讨蚊虫传播中断的基于MiRNA的方法
机译:用四晶体X射线衍射仪探讨不同晶格点的往复空间硅单晶缺陷结构的高分辨率漫射X射线散射研究
机译:碳化硅和碳化硅单晶CVD生长过程中缺陷成核的原位研究;最终的项目报告。 2007年1月至2008年4月
机译:硅单晶硅提拉法的硅熔体表面高度位置的计算方法及硅单晶硅提拉法的装置
机译:直晶硅法制造硅单晶的控制方法,直晶硅法制造高电阻硅单晶的方法以及硅单晶
机译:直拉法生长硅单晶的装置
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