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甜樱桃砧木吉塞拉12号组培快繁技术体系探讨

         

摘要

cqvip:以甜樱桃砧木吉塞拉12号当年生茎尖或茎段为试材,建立相应的组培快繁技术体系.以氯化汞、消毒灵、84消毒液、 次氯酸钠溶液等不同消毒剂对外植体进行消毒处理;以MS(蔗糖30 g·L-1,琼脂6.0 g·L-1)为基本培养基,添加不同浓度的6-BA和IBA进行诱导培养和增殖培养;以1/2MS(蔗糖20 g·L-1,琼脂6.0 g·L-1)培养基添加IBA、IAA用于组培苗的生根培养.结果表明,0.1%氯化汞处理10 min的综合消毒效果较优,诱导率可达90%;MS+0.5 mg·L-16-BA+0.1 mg·L-1 IBA为最佳增殖培养基,增殖系数达4.1;1/2MS+0.5 mg·L-1 IAA+0.9 mg·L-1 IBA为最佳生根培养基,生根率达92.3%,平均生根数4.00条,平均根长4.62 cm.

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