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佘倬然; 黄远明;
云南师范大学物理与电子信息学院;
常州大学数理学院;
化学浴沉积法; 氧化亚铜薄膜; 纳米材料; 光吸收率;
机译:室温化学浴沉积法制备纳米晶p型氧化亚铜薄膜
机译:化学浴沉积制备纳米晶PbS薄膜的制备与表征
机译:酸性水介质中化学浴沉积法制备硫化铋纳米薄膜的制备及表征
机译:化学浴沉积(CBD)法的纳米晶CDI__XZN_XS薄膜的合成与表征
机译:通过化学浴沉积法生长的硫化镉用于铜铟二硒化物光伏薄膜太阳能电池的生长和表征。
机译:使用化学浴沉积法改进沉积时间温度和pH值来合成纳米晶SnOx(x = 1-2)薄膜
机译:化学浴沉积法生长Cdse薄膜的制备及光学表征
机译:功能化碳纳米管制备空间耐久性聚合物纳米复合薄膜及其表征
机译:用相同的方法制备纳米级立方晶形的氧化亚铜和用纳米级立方晶形制备的纳米晶的氧化亚铜的方法
机译:化学浴沉积产生空位缺陷的CdS薄膜的制备方法及上述薄膜的太阳能电池
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