四甲基硅多光子电离的光谱研究

摘要

本文利用平行板电离池研究了四甲基硅(TMS)的共振多光子电离(REMPI),得到了激光激发波长在371.00～410.00nm范围内的平行板电离池条件下的REMPI谱.首次观察到了激光激发波长在371.00～410.00nm范围内的多光子电离光谱具有明显的共振结构,首次获得了平行板电离池条件下9个波长处相对粒子信号强度与激光能量之间的关系以及396.04nm处TMS气体的压力与相对离子信号强度之间的关系,主要讨论了TMS的REMPI机理,得出了TMS的解离/电离机理主要为B类光化学行为的结论.