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黄美纯; 柯三黄; 王仁智;
厦门大学物理学系;
应变层超晶格; 电子结构; 能带裁剪;
机译:ZnS / CdS(001)超晶格中的应变诱导能带混合效应
机译:GaN(0001)衬底上GaN / AlN超晶格中的应变弛豫:结合的超晶格到衬底晶格失配和厚度依赖效应
机译:LaMnO_(3 +δ)/ SrTiO_3超晶格中超薄LaMnO_(3 +δ)层的解开界面应变和界面晶格重构机理
机译:应变层InGaAs / GaAs超晶格中的对比效应
机译:使用X射线衍射和会聚光束电子衍射测量应变硅的晶格应变和弛豫效应
机译:原子应变法测定InAs / GaSb应变层超晶格中的原子空位
机译:应变层超晶格界面电荷转移效应和应变效应的能带计算
机译:In(x)Ga(1-x)as / Gaas应变层超晶格中的快速热退火效应。
机译:用于形成SiGe层的半导体基体场效应晶体管过程,用于利用应变过程形成应变Si层的过程以及用于制造场效应晶体管的过程
机译:具有应变超晶格结构的互补场效应晶体管
机译:通过将阻挡杂质注入到应变层中来减少应变层场效应晶体管中由位错引起的泄漏的方法
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