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郑志霞; 冯勇建;
莆田学院电子信息工程学系;
厦门大学物理与机电工程学院;
绝缘体上硅; 阳极键合; 埋氧层; 键合电压; 脉冲电源;
机译:使用点压键合技术和水玻璃粘合层的改进的低温晶圆键合方法
机译:扫描通过SOI / SOI晶圆键合工艺制造的微镜
机译:评估绝缘体上键合硅(SOI)晶片和键合SOI晶片上PIN光电二极管的特性
机译:硅晶片直接键合,用埋地硅化物层进行智能切割的SOI
机译:研究X与碳键合的加成反应,其中X与碳或氧键合
机译:一种简单的低温玻璃键合工艺具有用于微/纳米流体装置的氧等离子体的表面活化
机译:一种简单的低温玻璃键合工艺,具有用于微/纳米流体装置的氧等离子体的表面活化
机译:退火诱导H(+)生成在sOI埋氧层中的反应和扩散;微电子工程
机译:通过使用30-100Å薄氧化物作为键合层的晶片键合产生具有30-100Å埋入氧化物(BOX)的SOI晶片
机译:通过使用30-100 A薄氧化物作为键合层的晶圆键合产生具有30-100 A埋入氧化物(BOX)的SOI晶圆
机译:通过使用30-100 A薄氧化物作为键合层的晶圆键合产生具有30-100 A埋入氧化物(盒)的SOI晶圆
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