AlN／GaN异质结的价带偏移计算

摘要

用平均键能方法，研究了ＡｌＮ与ＧａＮ自由应变生长、以ＡｌＮ为衬底和以ＧａＮ为衬底等三种不同应变状态下ＡｌＮ／ＧａＮ应变层异质结的价带偏移．着重尝试了能带中含浅ｄ态的情况下，用平均键能方法计算异质结的△Ｅｖ值．由于目前还没有可供比较的实验值或理论计算结果，为检验平均键能方法计算的可靠性，又采用能同时计入各种影响△Ｅｖ因素的较严格的超原胞（ＡｌＮ）ｎ（ＧａＮ）ｎ（００１），（ｎ＝１．３，５）界面自洽计算方法，验证超晶格中平均键能Ｅｍ的“对齐”程度和价带偏移△Ｅｖ的计算结果．