应变致价带分裂对p型Si1—xGex应变层中重掺杂禁带窄变的影响

摘要

针对应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的应变致价带分裂及重掺杂对裂值的影响，提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型和有关算法，模型中考察了非抛物线价带结构，应用这个模型，计算了赝形生长在＜１００＞Ｓｉ衬底上的ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过约２×１０＾１９ｃｍ＾－３后综在某一Ｇｅ组分下得到极大值，而当掺杂低于此浓度时这随Ｇｅ组分的增加单调下降，与实验报道的对比证实了本模型的有效性