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骆东旭; 李尊朝; 关云鹤; 张也非; 孟庆之;
西安交通大学软件学院,710049,西安;
西安交通大学电子与信息工程学院,710049,西安;
隧穿; 场效应晶体管; 平均亚阈值斜率; 隧穿势垒;
机译:Ⅱ型交错隧穿结的GaAsBi / GaAsN隧穿场效应晶体管的理论研究
机译:基于非对称双栅Ge / GaAs-异质结隧穿场效应晶体管的无电容器单晶体管动态随机存取存储器,具有n掺杂的升压层和漏极-下覆结构
机译:InGaAs沟道中Ga比例对全栅隧穿隧穿场效应晶体管性能的影响
机译:具有金属层间半导体源/漏结构的7nm n型锗无结场效应晶体管的性能评估
机译:用于谐振隧穿二极管的新型隧穿势垒设计。
机译:一种适用于低功率应用的新型锗环绕源栅极全能隧穿场效应晶体管
机译:Si上的垂直Inas / Gaassb / Gasb隧道隧穿场效应晶体管与S = 48 mV /十年,I =10μA/μm用于I OFF INF> = 1 NA /μm在V DS INF> = 0.3 V.
机译:室温下具有高峰谷比的Gaas / alas / In(0.1)Ga(0.9)基谐振隧穿二极管的实现与分析
机译:具有直接隧穿的隧穿场效应晶体管,可增强隧穿电流
机译:新型结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法
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