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周艳文; 樊子铭; 宁洁;
辽宁科技大学材料科学与工程学院,辽宁鞍山114051;
无结晶体管; 开关比; 亚阈值斜率; 阈值电压;
机译:绝缘子无结晶体管与结型晶体管双材料栅极硅的模拟性能比较研究
机译:纳米尺度下半无结II型异质结隧道场效应晶体管的性能研究
机译:新型轻结漏极(LDD)区域的无结Ge n隧穿场效应晶体管的研究
机译:结型和无结型薄膜晶体管性能比较的数值研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:无结双路平面内栅极薄膜晶体管在纸基板上具有AND逻辑功能
机译:先进场效应晶体管的电特性:无碳结合的碳纳米管阵列或氧化锡纳米线上的无结的晶体管
机译:无铝p-n-p InGaasN双异质结双极晶体管
机译:无结叠层体,有涂层的无结叠层体,无结材料以及制造该无结材料的方法
机译:集成结和无结纳米晶体管
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