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刘璟; 谢元禄; 霍长兴; 呼红阳; 张坤; 毕津顺; 刘明;
中国科学院微电子研究所 北京朝阳区 100029;
中国科学院大学微电子学院 北京石景山区 100049;
擦除退化; 闪存; 氧化层陷阱; 可靠性; 阶梯脉冲电压;
机译:基于伽玛退化过程的随机离散应力升高时间步长加速试验的优化设计
机译:使用维纳过程的具有初始初始退化值的破坏性退化测试的优化设计
机译:具有多个应力和多个退化措施的恒应力加速退化测试计划的优化设计
机译:65db博士的65dB DR在65nm CMOS中具有65dB博士的6MW 480MHz连续时间(SIGMA)调制器
机译:粘塑性有限元模拟,以预测不同闪存芯片堆叠架构的焊点疲劳寿命。
机译:整体组织均质化优选粘膜擦除在确定断奶大鼠回肠中分段丝状细菌的时间轮廓
机译:在一次1½小时吸入暴露后,在新生成的,原始,20nm银纳米粒子气溶胶中的28天,原始的,原始,20nm银纳米粒子气溶胶
机译:频率标准; Ts-65 / Fmq-1,Ts-65C / Fmq-1,Ts-65D / Fmq-1。 (american Time products 1296,Ts-65 / Fmq-1的商业当量)。 (precision associates C-0318,Ts-65D / Fmq-1的商业当量)
机译:长时间静态和擦除状态保留期间模拟记忆细胞的缓解可靠性退化
机译:自毁闪存芯片及其永久擦除数据的方法
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