衬底温度和生长速率对In0.2Ga0.8As分子束外延薄膜生长影响

摘要

采用分子束外延生长技术,在GaAs衬底上制备InGaAs外延材料.实验结果表明,衬底温度直接决定了InGaAs材料制备过程中In原子在界面间的渗析和In原子在外延层表面迁移,影响了InGaAs外延材料的生长模式;生长速率影响着InGaAs外延层的质量.实验结果表明,通过调整衬底温度和生长速率,在衬底温度为500℃,生长速率为1200nm/h时,制备出的样品结晶质量和表面形貌最好.