单晶硅微铣削表面粗糙度实验研究

摘要

单晶硅是一种难加工材料,为优化单晶硅微铣削工艺参数,在水基切削液条件下,采用直径0.5 mm的金刚石涂层微铣刀,在单晶硅(100)晶面[100]晶向进行全槽铣削加工,基于正交实验研究每齿进给量、主轴转速和轴向切削深度对表面粗糙度的影响规律,分析单晶硅表面形貌,结合未变形切削厚度研究表面粗糙度变化规律.结果 表明:表面粗糙度随着最大未变形切削厚度的增大而增大;影响表面粗糙度的主次因素依次为每齿进给量、主轴转速、轴向切深,在加工参数f=0.05～0.4 μm/z,n=l0000～30000 gmin,ap=5～15 μm时,获得的最优工艺参数为fz=0.05 μm/z,n=10000 r/min,ap=5 μm,此时单晶硅表面粗糙度为Ra=0.138 μm.