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欧文; 钱鹤;
中国科学院微电子研究所;
SCDI器件; 快闪存储器; 编程速度; 工艺优化; 关键技术;
机译:具有凹槽结构的氧化硅-氮化物-氧化硅-硅闪存器件的两位/单元特性
机译:基于体鳍形场效应晶体管结构的P沟道氧化硅-氮化物-氧化硅-硅闪存器件的制作和特性
机译:具有凹槽结构和间隔层氮化物层的高密度NOR型闪存器件的两位/单元编程特性
机译:在InP(311)B衬底上生长的1550nm波段QD-SOA的实验和计算增益特性,用于超快全光逻辑门器件
机译:有机光电半导体器件的研究:阳极表面蚀刻,在新颖的集成结构中的应用以及对光电器件中光电流特性的分析。
机译:硅量子点基发光器件的纳米图案化硅结构抗反射特性的仿真与实验研究
机译:在某些EpROm,EEpROm,闪存和闪存微控制器211半导体器件以及包含它的产品中。调查编号337-Ta-395
机译:NAND快闪存储器件以及形成NAND快闪存储器件的阱的方法
机译:使用低温工艺制造3d堆叠单元结构的闪存器件的方法和3d堆叠单元结构的闪存器件
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