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何进; 张兴;
北京大学微电子学研究所;
非对称线性缓变; P-N结; 击穿特性; 等价掺杂转换理论; 功率器件;
机译:基于P-N结的光电转换器半导体结构电容电压特性的频率依赖性的特征与多孔硅的抗反射膜的P-n结
机译:非均匀掺杂p-n结的辐射激发击穿的特定特征
机译:逐步击穿过程中纳米级MOSFET的衬底-源极/漏极p-n结处掺杂物重新分布的研究
机译:脉冲功率应用中AlGaAs / GaAs p-n异质结的雪崩击穿特性
机译:理论上,半导体的P-N结和掺杂轮廓存在尺寸,可溶性和唯一性方面的反问题。
机译:利用纯锡和掺杂Sn的Bi2Te2Se的非线性特性进行全偏振保持和掺杂光纤激光器的无源Q转换
机译:表面掺杂对GaAs P-N结特性的影响气体传感器
机译:重掺杂对肖特基势垒和p-N结的I-V特性的影响。
机译:具有改善的击穿电压特性的整流p-n结及其制造方法
机译:具有改善的击穿电压特性的整流p-n结的制造方法
机译:确定非线性RC元件,尤其是反向偏置P-N结的电流-电压静态特性的方法和装置
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