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黄杰; 郭天义; 张海英; 徐静波; 付晓君; 杨浩; 牛洁斌;
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Microelectronics,Chinese;
Academy;
of;
Sciences,Beijing;
100029,China;
Physical;
Science;
and;
Technology,Southwest;
University,Chongqing;
400715,China;
HEMT器件; InP基; 纳米; 设备制造技术; 高电子迁移率; InGaAs; InAlAs; 阈值电压;
机译:In_(0.7)Ga_(0.3)As / In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱金属氧化物半导体场效应晶体管的散射机理
机译:基于步进器的L_g = 0.5μm在3英寸InP基板上的In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.7)Ga_(0.3)As PHEMTs,记录值为f_T和L_g
机译:100 nm栅极In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.7)Ga_(0.3)As HEMT的f_T = 260 GHz和f_(max)= 607 GHz,G_(m.max)= 1441 mS / mm
机译:0.25μm的f_T为115GHz的In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.53)Ga_(0.47)As / InAs_(0.3)P_(0.7)复合通道HEMT
机译:镧锶锰(LA0.67SR0.33MNO3)和锆钛酸铅(PBZR0.52TI0.48O3)薄膜异质结构中的自极化感应磁电耦合
机译:通过La0.3Sr0.7MnO3 / Ba0.7Sr0.3TiO3超晶格的界面耦合控制磁电性能
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:正常入射高性能p型应变层在(0.3)Ga(0.7)as / In(0.52)al(0.48)as量子阱红外光电探测器中的研究
机译:半导体纳米异质结构In0.52Al0.48As / InXGa1-XAs C复合有源区In0.53Ga0.47As / InAs / In0.53Ga0.47As / InAs / In0.53Ga0.47As C两次插入InAs
机译:负磁阻的复合陶瓷(1-x)La0.7Sr0.3MnO3 / xGeO2
机译:LA0.7SR0.3MNO3相对冷却能力增强的铈磁性材料及其制造方法
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