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赵泽钢; 赵剑; 马向阳; 杨德仁;
硅材料国家重点实验室,浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州 310027;
单晶硅片; 重掺硼; 位错滑移;
机译:直拉硅片中位错滑环的产生
机译:单晶Al和Cu纳米压痕中位错形成及位错间相互作用的研究(分子动力学模拟)
机译:外延层重掺砷或掺硼的切克劳斯基硅片中的高温间隙氧扩散延迟
机译:锗对p型直拉硅中位错运动的影响
机译:模拟磷化铟单晶在高压直拉生长中的位错生成。
机译:纳米压痕法研究LiTaO3单晶的室温蠕变行为和位错成核的活化体积
机译:利用微拉曼光谱和白光X射线形貌观察硅片中纳米压痕诱导应变场和位错的产生
机译:由于位错 - 位错交叉引起的弛豫位错阻尼与镁单晶的应用
机译:掺Si的GaAs单晶硅片及其制备方法,以及掺Si的GaAs单晶硅片由Si掺杂的GaAs单晶硅片制成
机译:在同质外延生长过程中螺钉位错的横向运动和由此产生的装置不受螺钉位错的有害影响
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