单晶硅片

摘要： 作为全球市值第一的光伏企业,隆基绿能科技股份有限公司聚焦科技创新,构建单晶硅片、电池组件、工商业分布式解决方案、绿色能源解决方案、氢能装备五大业务板块,形成支撑全球零碳发展的“绿电”+“绿氢”产品和解决方案能力。

摘要： 首次采用有机碱——四甲基胍替代传统的氢氧化钠或氢氧化钾作为制绒刻蚀剂,邻苯二酚和硅酸钠作为制绒添加剂进行单晶硅片制绒,并通过实验对不同四甲基胍浓度、邻苯二酚浓度、反应温度、反应时间对单晶硅片制绒的影响进行了分析。研究结果表明:制绒后单晶硅片表面的金字塔分布密集、大小均匀;在400~1000 nm的波长范围内,单晶硅片的平均反射率为9.16%,比采用传统的碱醇制绒体系制绒时获得的反射率低;同时,该制绒方法还消除了传统制绒刻蚀液中金属离子对单晶硅片的污染。

摘要： “做到了,我们成功做到了!”位于陕西西安的隆基高效单晶电池研发中心传来阵阵激动的欢呼声。近期,隆基绿能科技股份有限公司(简称“隆基绿能”)自主研发的掺镓P型硅片制备的硅异质结电池(P-HJT)实现效率新突破:在掺镓P型全尺寸单晶硅片上,将硅异质结电池转换效率推高至26.12%。“这是迄今为止P型硅电池效率的最高纪录,进一步验证了低成本硅异质结量产技术的可行性。”隆基绿能创始人、总裁李振国表示。

摘要： 半导体硅片是半导体产业链的上游,是制作芯片的核心材料,贯穿了芯片制作的全过程,半导体硅片的质量和数量制约着下游终端领域行业的发展。随着便携式电子产品不断朝着高集成度和微型化的方向发展,芯片的体积也不断减小。为了满足芯片体积进一步减小的需求,芯片封装前通常需要对硅片背面进行减薄,除了在封装技术上不断地革新,超薄单晶硅片的应用势在必行。简单介绍了半导体硅片的加工工艺流程,分析了超薄单晶硅片的制备方法及减薄工艺,讨论了减薄后的单晶硅片的表面质量(如翘曲度、厚度均匀性、粗糙度、损伤层厚度等)及其影响因素,并对硅片表面损伤层检测方法进行了简要的综述。

摘要： 工件旋转法磨削是大尺寸硅片正面平整化加工和背面减薄加工的主要方法,但磨削加工不可避免地会在硅片表面/亚表面产生损伤。为了预测工件旋转法磨削硅片产生的亚表面损伤深度,优化硅片磨削工艺,根据工件旋转法磨削过程中硅片磨削表面的几何轮廓参数、硅片磨削表面的材料去除机理和压痕断裂力学理论建立了磨粒切削深度、表面粗糙度Ra和亚表面损伤深度之间的数学关系,推导出工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤深度预测模型,并通过硅片超精密磨削试验对模型进行了验证与分析。结果表明,工件旋转法磨削硅片的亚表面损伤深度随表面粗糙度Ra的增大而增大,通过预测模型计算的磨削硅片亚表面损伤深度预测值与硅片亚表面损伤深度实测值的误差小于10%,建立的亚表面损伤深度预测模型能够为超精密磨削硅片的亚表面损伤控制和硅片高效低损伤磨削工艺的优化提供理论指导。

摘要： 8月11日晚,扬杰科技(300373)披露半年度报告,公司2022年半年度实现营业收入为29.51亿元,同比增长41.92%;归母净利润5.87亿元,同比增长70.61%;基本每股收益1.15元。扬杰科技所从事的半导体行业,是我国重点鼓励和支持的产业。经过多年的发展,扬杰科技已成为国内少数集单晶硅片制造、芯片设计制造、器件设计封装测试、终端销售与服务等纵向产业链为一体的规模企业。

摘要： 通过对晶棒物流自动化、生产过程管控系统以及全流程质量追溯等技术的研究,以太阳能单晶硅片制造数字化、智能化为目标,聚焦太阳能单晶硅片智能车间,构建可复用单晶硅片智能车间解决方案,助力单晶硅片制造企业的数字化转型。

摘要： 采用电化学沉积工艺直接向组装在单晶硅片上的聚苯乙烯胶体品体中填充金属Ni，成功制备了Ni的反opal光子晶体。采用线性扫描伏安法研究了单晶硅表面的化学刻蚀对Ni的电化学沉积过程的影响，并采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射等对Ni反opal光子晶体的形貌利结构进行了观察分析。研究结果表明，对单晶硅片表面进行化学刻蚀有利于金属Ni的电化学沉积；在PS胶体晶体模扳中电化学生长的金属Ni呈多晶状态，去除模极后形成了金属Ni的有序多孔结构。

摘要： The reflectivity reaches the lowest point at a right texturization time.Both large and small pyramid sizes lead to similar reflectivities.Nonuniform flow leads to nonuniform distribution of pyramid size.Wafer with SDR absorbs greater amount of additive than rough wafer.Enhancing the basicity of solution increases cleaning efficiency.The residue of additive on the textured wafer increases while applying SDR. A possible explanation could be that the wafer with arough surface reacts violently with KOH, releasing a large amount of H2, which hindering the absorption of additive to the wafer surface.

摘要： 协鑫集成科技股份有限公司（002506.SZ）系全球领先的一站式综合能源服务解决方案提供商及服务商，公司将打造成为轻制造、重服务的系统集成和服务领域的龙头企业。.协鑫集成业务主要涉及系统设计优化、系统集成、金融服务及运维服务四大方面，为客户提供优化设计到产品选择，再到融资保险和运营维护的全方位定制化服务。铸锭多晶硅片表面有（111）/(112)/(212)等不同取向，单晶硅片，只有（100）晶面，碱制绒很容易形成均匀有效的陷光金字塔结构2)铸锭多晶硅片，~10种同晶格取向，其腐蚀速率不同, 难以形成有效的陷光绒面。单晶硅片表面有（100）单一取向时，碱制绒形成金字塔限光形状。

摘要： 本文针对单晶硅片在碱溶液中的腐蚀过程,利用紫外可见分光光度计来测量硅片表面反射率,发现碱溶液的浓度、腐蚀时间、添加剂的选择(无水乙醇或异丙醇)以及添加剂的浓度均对硅片表面反射率有影响.比较几个因素发现碱溶液的浓度和腐蚀时间对硅片表面反射率影响最大.当NaOH浓度为15g/L,添加剂无水乙醇体积分数10％时腐蚀30min得到硅片反射率最低,达到11.15％.

摘要： Si2p3/2态峰位的化学位移量与截止边的化学位移量(UPS谱线的化学位移量)非常接近，如果选择刻蚀后Si2p3/2态的峰位99.24eV作为标准峰位，这与之前报道的Si2p3/2标准峰位一致，那么直接利用XPS测试硅片表面Si2p态，得到存在化学偏移的Si2p3/2峰位，计算出化学平移量，作为功函数测量的参考值是可行的一种做法。再利用UPS直接测得硅片表面的价带谱，将价带谱（截止边）进行适当平移（与Si2p3/2平移量相同），就可推算得到太阳能级单晶硅片的表面功函数：n-Si和p-Si的表面功函数分别为4.28和5.01eV。

摘要： 本文利用一步无掩膜铜纳米粒子催化刻蚀方法在工业用156×156mm2单晶硅片上制备了均匀致密的倒金字塔绒面，研究了其催化刻蚀机理以及倒金字塔的结构和陷光性能；还进一步制备了倒金字塔晶硅电池，由于倒金字塔下凹的结构特点，利于覆盖和电极填充，取得了较好的电池性能，串联电阻明显降低。由于该倒金字塔制绒工艺具有制作简单、刻蚀温度低、时间短，且与现有产线兼容，可望在提高绒面性能的同时大幅降低制绒片的生产成本，具备产业化应用的良好条件。

摘要： 采用化学镀工艺在p型单晶硅片表面制备了两种Co-Ni-P镀层,对比分析其显微组织和性能.结果表明:Co46Ni4s P6镀层为非晶和纳米晶混合结构,表面均匀分布着直径约0.2～3.5μm的球形团簇.而Co74Ni22P4镀层为单相密排六方结构,具有强烈的(0002)晶面择优取向,表面由纳米级梭形团簇和微米级苞形团簇混合而成.与Co74Ni22P4镀层相比,Co46Ni48P6镀层在10.0％NaOH溶液和3.5％NaCl溶液的耐蚀性能较好,室温电阻率较高,饱和磁化强度和矫顽力显著下降.

摘要： 由于电力电子器件的市场对酸腐蚀片的需求，如何制备低粗糙度的酸腐蚀片越来越研究受到关注，而酸腐蚀工艺对粗糙度的影响却鲜有报道。本文讨论的酸腐蚀工艺对腐蚀片粗糙度的影响，发现随着腐蚀厚度的增加酸腐片的粗糙度越来越小；而随着温度的升高酸腐片的粗糙度变小；腐蚀较多硅片的腐蚀液腐蚀硅片粗糙度较大。

摘要： 近些年来,通过体外培养获得细胞薄层用于组织工程及缺损修复得到了广泛的关注.从Okano教授利用温敏的聚合物表面温润性的变化获取细胞薄层开始,采用不同的外场调控细胞材料界面的细胞行为进而获取细胞薄层有了大量研究.本研究采用良好的生物相容性和稳定性的具有P/N结的硅片，利用其在可见光范围的光生伏特效应，研究了其表面光生电荷的积累对细胞的附着与脱附行为的调控作用及其机理。

摘要： 近些年来,通过体外培养获得细胞薄层用于组织工程及缺损修复得到了广泛的关注.从Okano教授利用温敏的聚合物表面温润性的变化获取细胞薄层开始,采用不同的外场调控细胞材料界面的细胞行为进而获取细胞薄层有了大量研究.本研究采用良好的生物相容性和稳定性的具有P/N结的硅片，利用其在可见光范围的光生伏特效应，研究了其表面光生电荷的积累对细胞的附着与脱附行为的调控作用及其机理。

摘要： 本发明实施例公开了一种采用直拉法拉制单晶硅棒的方法，在所述方法中，将用于拉制所述单晶硅棒的硅熔体的氮浓度调整成使得，拉制出的所述单晶硅棒中旨在被切割成硅片的节段的初始拉制部分的氮浓度大于7E13atom/cm3。通过本发明实施例的方法，能够在满足生产效率的期望拉速下拉制出不产生外延缺陷的区域的占据比例最大化的单晶硅棒，与此同时，能够在更大的拉速范围内得到更大的不产生外延缺陷的区域。

摘要： 本发明公开一种单晶硅片的生产方法及单晶硅片，涉及半导体硅片的生产制造领域，能够生产出120微米厚度以下的单晶硅片，从而能够降低硅片的生产成本。具体方案包括：获取单晶硅，并将单晶硅固定于晶托；控制晶托固定有单晶硅的一侧下压，利用切割装置对单晶硅进行切割，切割装置包括：金刚石切割线，金刚石切割线包括颗粒粒径范围在4~10μm的金刚石，金刚石切割线的张力为4.7~5.7牛；在切割过程中利用喷淋装置对单晶硅进行喷淋处理，且利用导轮吹气装置对切割装置进行清洁处理；下压切割行程结束后，控制晶托上移，再将单晶硅从晶托处脱离，得到多个单晶硅片；将单晶硅片逐片插入花篮中，对每个单晶硅片进行清洗处理，得到多个目标单晶硅片。

摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种单晶硅片的处理方法及其单晶硅片和太阳能电池。本发明所述单晶硅片的处理包括如下步骤：1)在所述单晶硅片的一个表面进行第一次制绒和第一次扩散制备形成p‑n结；2)酸清洗去除不稳固p‑n结和不稳固的绒面结构；3)在所述单晶硅片的表面进行第二次制绒和第二次扩散。所述第二次制绒后形成的绒面结构的厚度小于10纳米，可实现太阳光的透射。本发明通过两次制绒和两次扩散不仅增加了硅片的上表面单位比表面积，尤其是第二次制绒后的绒面结构可实现太阳光的透射，使得光的吸收效率得到提高，而且上述处理后得到的p‑n结更为均匀，将其制备成太阳能电池，所得电池对太阳光的吸收效率更高。

摘要： 本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，包括以下步骤：在坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶的生长面晶向同为[001]或同为所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向属于同一晶向族且构成重合位置点阵类型的晶界:当籽晶的侧面晶向为时，将相邻籽晶生长面晶向按[001]、正反面交替拼接或将相邻籽晶中的一个籽晶旋转90°；当籽晶的侧面晶向为非晶向族时，将相邻籽晶生长面晶向按正反面交替拼接，或按正反面交替拼接后再将相邻籽晶中的一个籽晶旋转90°。本发明通过铺设籽晶减少了引晶过程中位错源的发生；本发明还提供了一种准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片。

摘要： 本发明公开一种单晶硅片的生产方法及单晶硅片，涉及半导体硅片的生产制造领域，能够生产出120微米厚度以下的单晶硅片，从而能够降低硅片的生产成本。具体方案包括：获取单晶硅，并将单晶硅固定于晶托；控制晶托固定有单晶硅的一侧下压，利用切割装置对单晶硅进行切割，切割装置包括：金刚石切割线，金刚石切割线包括颗粒粒径范围在4~10μm的金刚石，金刚石切割线的张力为4.7~5.7牛；在切割过程中利用喷淋装置对单晶硅进行喷淋处理，且利用导轮吹气装置对切割装置进行清洁处理；下压切割行程结束后，控制晶托上移，再将单晶硅从晶托处脱离，得到多个单晶硅片；将单晶硅片逐片插入花篮中，对每个单晶硅片进行清洗处理，得到多个目标单晶硅片。

摘要： 本发明提供一种单晶硅片清洗机及清洗单晶硅片的方法，所述清洗机包括清洗篮放置槽，于其下部设置有下部激光发射器、下部激光接收器以及均匀间隔布置的若干个下部喷淋头，所述机体顶部设置有上部激光发射器、上部激光接收器以及均匀间隔布置的若干个上部喷淋头；所述上层机体的侧壁内层环绕加热管并于上层机体内侧环绕有温度传感器；所述若干个下部喷淋头与所述若干个上部喷淋头均与外部供水装置相连通，每个喷淋头上均设置有电磁阀。本发明通过分别控制优化单晶硅片清洗机输出的控制温度以及喷淋压力，当二者同时最优时，停止喷淋增压和升温，以该温度和喷淋压力进行单晶硅片清洗，可以使单晶硅片清洗后的清洗洁净度和平整度达到最优。

摘要： 本发明涉及一种基于单晶硅片的可调式磨削装置及单晶硅片的磨削加工方法，适用于精磨加工或常规磨削加工后经检测硅片面型不达标的小批次再加工。在磨削加工中，根据位移传感器可视化曲线、硅片面型参数的在线测量结果，传递信号至装置内部位移传感器嵌入式驱动装置及各可调式支撑轴的液压式方向控制回路，通过控制信号使加工中发生倾斜的磨削盘水平、使各支撑轴独立并精确地调节磨削面型的凸凹度δ和饱满度ε，确保加工后的硅片具有高竞争力的质量和精度。

摘要： 本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种单晶硅片的处理方法及其单晶硅片和太阳能电池。本发明所述单晶硅片的处理包括如下步骤：1)在所述单晶硅片的一个表面进行第一次制绒和第一次扩散制备形成p‑n结；2)酸清洗去除不稳固p‑n结和不稳固的绒面结构；3)在所述单晶硅片的表面进行第二次制绒和第二次扩散。所述第二次制绒后形成的绒面结构的厚度小于10纳米，可实现太阳光的透射。本发明通过两次制绒和两次扩散不仅增加了硅片的上表面单位比表面积，尤其是第二次制绒后的绒面结构可实现太阳光的透射，使得光的吸收效率得到提高，而且上述处理后得到的p‑n结更为均匀，将其制备成太阳能电池，所得电池对太阳光的吸收效率更高。

摘要： 本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，包括以下步骤：在坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶的生长面晶向同为[001]或同为所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向属于同一晶向族且构成重合位置点阵类型的晶界:当籽晶的侧面晶向为110时，将相邻籽晶生长面晶向按[001]、正反面交替拼接或将相邻籽晶中的一个籽晶旋转90°；当籽晶的侧面晶向为非110晶向族时，将相邻籽晶生长面晶向按正反面交替拼接，或按正反面交替拼接后再将相邻籽晶中的一个籽晶旋转90°。本发明通过铺设籽晶减少了引晶过程中位错源的发生；本发明还提供了一种准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片。

摘要： 本发明公开了一种单晶硅片及单晶硅片的减薄方法及应用。所述硅片具有小于80um的均匀厚度，并且柔韧而且富有弯曲弹性。所述单晶硅片减薄方法，包括至少对硅片第一面进行机械-化学抛光修整，以及只靠圆片第二面和固定设备的平面支承座间产生的分子真空将圆片悬挂到相对于抛光毡以摆线旋转运动方式驱动的固定设备上。所述单晶硅片可以作为一个半导体功能器件的衬底，应用于集成电路芯片上，使芯片厚度小于80um。本发明所得单晶硅片厚度基本均匀；在承受机械应力时，厚度小于80um的单晶硅片会弯曲，不会破裂；另外，单晶硅片的柔韧性并没有改变单晶硅作为半导体材料的功能；本发明工艺简单易实施，成本低廉，适于规模化生产。