高温处理对ZnO薄膜及其忆阻性能的影响

胡令祥; 施思齐; 曹鸿涛; 梁凌燕; 张洪亮; 高俊华; 诸葛飞

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高温处理对ZnO薄膜及其忆阻性能的影响

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本文研究了高温处理对ZnO薄膜及其忆阻效应的影响,发现利用经800℃高温处理后的ZnO薄膜制备的Cu/ZnO/Pt器件依然保持忆阻性能,并观察到无电形成过程的忆阻效应.研究表明,无电形成过程的原因在于高温处理后的ZnO薄膜出现了纳米级通道,使得在沉积顶电极Cu的过程中,形成天然的导电通道,使器件呈现低阻态.

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来源
《材料科学与工程学报》 |2018年第4期|564-567|共4页
作者
胡令祥; 施思齐; 曹鸿涛; 梁凌燕; 张洪亮; 高俊华; 诸葛飞;
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作者单位

上海大学材料科学与工程学院 ,上海 200072;

中国科学院宁波材料技术与工程研究所 ,浙江宁波 315201;

上海大学材料科学与工程学院 ,上海 200072;

中国科学院宁波材料技术与工程研究所 ,浙江宁波 315201;

中国科学院宁波材料技术与工程研究所 ,浙江宁波 315201;

中国科学院宁波材料技术与工程研究所 ,浙江宁波 315201;

中国科学院宁波材料技术与工程研究所 ,浙江宁波 315201;

中国科学院宁波材料技术与工程研究所 ,浙江宁波 315201;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属氧化膜电阻器;
关键词
忆阻器; 高温处理; ZnO; 无电形成;

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