Si基GaN的微结构表征

江若琏; 陈鹏; 赵作明; 沈波; 张荣; 郑有炓

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Si基GaN的微结构表征

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摘要

采用快速辐射加热/低压-金属有机化学气相淀积(RTP/LP-MOCVD)方法分别以AlN和阳极氧化铝为缓冲层材料在Si衬底上外延生长GaN薄膜,通过X射线衍射谱(XRD)、光荧光谱(PL)、拉曼散射谱(Raman Scattering)等手段对它们的微结构进行了表征和分析,结果指出AlN是优良的缓冲层材料.

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来源
《光散射学报》 |2003年第4期|264-267|共4页
作者
江若琏; 陈鹏; 赵作明; 沈波; 张荣; 郑有炓;
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作者单位

南京大学物理系,南京,210093;

南京大学物理系,南京,210093;

南京大学物理系,南京,210093;

南京大学物理系,南京,210093;

南京大学物理系,南京,210093;

南京大学物理系,南京,210093;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类拉曼光谱分析法;
关键词
GaN; 微结构; 缓冲层; X射线衍射谱; 光荧光谱; 拉曼散射谱;

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