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朱秀菊;
辽阳师专!辽阳111004;
RG—MOSFET; 电流模型;
机译:双卤栅堆叠三材料双栅MOSFET阈值电压和漏极电流的二维分析模型
机译:通过高k栅堆叠的长沟道圆柱形环绕栅MOSFET的直接隧穿电流的分析模型
机译:单栅MOSFET,未掺杂对称和非对称双栅SOI MOSFET的漏电流模型和量子力学效应:综述
机译:比较电流抑制方法以增强1.2 kV SiC功率MOSFET的短路能力:使用串联连接的栅源短路Si耗尽型MOSFET的新方法与串联电阻的使用
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:使用MO-DVCC和基于MOSFET的电子电阻器的多功能可调电流模式通用双二次滤波器
机译:带有薄氮化栅氧化物的双栅CMOSFET中应力引起的泄漏电流
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。
机译:电阻型超导电流限制继电器的EMTDC分析模型和最佳参数设计方法,包括允许线路电流超过操作开始电流,允许线路电流具有恒定的积分时间常数,电阻值和电阻值的步骤
机译:用于机动车辆的电子动力转向装置,具有电阻器,该电阻器布置在绝缘栅电极与MOSFET的源极之间或双极晶体管的栅极与发射极之间,并集成在MOSFET或双极晶体管中
机译:用于IC(集成电路)的电阻器电路,其MOSFET的漏极连接到反馈电阻器,该反馈电阻器通过基于参考电流的预加载进行操作;以及电流镜电路,用于产生参考电流
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