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金刚石薄膜/立方氮化硼异质结的制备

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摘要

利用高温高压合成的立方氮化硼单晶材料,采用恒浓度高温扩散方法制备n型立方氮化硼半导体材料.通过化学气相沉积方法在n型立方氮化硼上外延生长p型金刚石薄膜.在此基础上,通过欧姆接触电极的制作,制备出金刚石薄膜/立方氮化硼异质pn结,并给出pn结的伏安特性曲线.

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来源
《吉林大学学报（理学版）》 |2000年第2期|65-67|共3页
作者
杨洁; 张航; 王成新; 刘洪武; 李迅;
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作者单位

长春86003部队实验室,长春,130022;

长春86003部队实验室,长春,130022;

吉林大学原子与分子物理研究所,超硬材料国家重点实验室,长春,130023;

吉林大学原子与分子物理研究所,超硬材料国家重点实验室,长春,130023;

吉林大学原子与分子物理研究所,超硬材料国家重点实验室,长春,130023;

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正文语种 chi
中图分类 TN304.18;
关键词
金刚石薄膜; 立方氮化硼; 异质 pn 结; 伏安特性;

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