不同温度下异质外延生长立方氮化硼薄膜及其原位掺杂

摘要

本工作在金刚石(001)基底上在400℃,600℃和900℃温度下外延生长高质量的c-BN薄膜.在不同的沉积温度下的薄膜生长过程中掺入Si,实现了n型原位掺杂.Si的浓度随着生长温度的降低而升高.系统地研究了不同的沉积温度和Si浓度对于c-BN外延薄膜导电性能的影响.结果表明,在420℃下掺杂得到的薄膜电阻率低于在更高温度下制得的薄膜的电阻率.电子输运性能对于温度的依赖性以及其相应的理论拟合的结果表明,Si掺杂薄膜的激活能大约是0.3eV,提高Si的掺杂浓度可以提高深能级受主的补偿作用.