扩镓Si基溅射Ga2O3氮化反应生长GaN薄膜

摘要

采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3氮化反应生长GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、光电能谱(XPS)和荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌、组分和发光特性的分析.XRD、SAED和XPS分析证明,采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜.SEM显示薄膜由均匀、结合紧密的纳米微晶粒组成,其直径约为50～100 nm.PL发光谱显示位于344 nm处,相对于365 nm明显蓝移的带边峰,此发光峰应归功于自由载流子的复合.