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沈川; 陈路; 卜顺栋; 刘仰融; 何力;
中国科学院上海技术物理研究所红外材料与器件重点实验室 上海200083;
碲镉汞; P-on-N; 界面结构; 热退火; 光电流;
机译:用于实现p-on-n HgCdTe异质结构红外光电二极管的新平面工艺的表征
机译:界面对长螺旋钻抑制的多层N +πP + p + n + HgCdTe HOT检测器性能的影响
机译:长波长红外P-on-n HGCDTE检测器温度依赖性暗电流机制分析
机译:用于实施P-ON-N HGCDTE异质结构红外光电二极管的新平面过程
机译:表面活性剂对巨大的磁阻钴铜多层体系的生长和界面结构的影响。
机译:Z参数对聚合物纳米复合材料多层界面抗张强度的影响与材料和界面性质的关系
机译:LWIR nBn和p-on-n HgCdTe光电探测器电流-电压特性的数值分析
机译:热退火时al / RuO2界面的结构和电学演变
机译:具有异质结构钝化和P-on-N同质性的单层平面HgCdTe光伏红外探测器
机译:具有异质结构钝化和p-on-n同质结的单层平面HgCdTe光伏红外探测器
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