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金艳波; 章蓓; 王永忠; 陈 晶; 张会珍; 曹昌其; 杨述明; 黄春辉; H.Cao; R.P.H.Chang;
北京大学物理系和宽禁带半导体研究中心介观物理国家重点实验室;
北京大学化学学院和稀土材料和应用国家重点实验室;
University;
宽禁带半导体薄膜; II-VI族氧化物半导体; MgxZn1-xO; X射线衍射; 光致发光.;
机译:岩石盐结构的Mg_xZn_(1-x)O薄膜中深紫外阴极发光的激发电流密度和温度依赖性
机译:脉冲激光沉积生长的Mg_xZn_(1-x)O薄膜的发光和表面性质
机译:原位原子层掺杂技术制备的Mg_xZn_(1-x)O薄膜的可调光学和结构性质
机译:Mg_xzn_(1-x)O:Al陶瓷的制备和性质
机译:稀磁性半导电锌(1-X)锰(X)硒和镉(1-X)锰(X)硒的光致发光性质。
机译:合成与光学表征含氧的ZnS(1-x)Ox用于紫外可见调色板的制备发光物质
机译:一些II-VI半导体化合物外延薄膜的制备及光学性质
机译:超宽带合金ME X Sub> SN 1-X Sub> O 2 Sub>合金半导体薄膜材料及其制备方法,应用和装置
机译:具有液晶性质的有机半导体聚合物,其制备方法以及使用该薄膜的有机薄膜晶体管
机译:紫外发光薄膜及其制备方法,用于钨盐化合物和/或钼酸盐化合物的薄膜
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