用穆斯堡尔效应研究铁硅化合物的形成过程

申作成; 王松有; 游海洋; 杨月梅; 陈良尧; 蔡英文; 李爱国

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用穆斯堡尔效应研究铁硅化合物的形成过程

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利用粒子束溅射的方法在纯净的Si衬底上沉积一层Fe膜,在强还原气氛下对其进行不同温度的退火处理.采用非原位的穆斯堡尔效应和X射线衍射,研究了铁硅化合物的形成过程. 实验发现,经30 min在1000℃退火情况下,可观察到α-FeSi2和β-FeSi2 同时共存的现象,分析表明,该现象来源于强还原气氛.

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来源
《红外与毫米波学报》 |2002年第z1期|38-40|共3页
作者
申作成; 王松有; 游海洋; 杨月梅; 陈良尧; 蔡英文; 李爱国;
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作者单位

复旦大学信息科学与工程学院光科学与工程系,上海,200433;

复旦大学信息科学与工程学院光科学与工程系,上海,200433;

复旦大学信息科学与工程学院光科学与工程系,上海,200433;

复旦大学信息科学与工程学院光科学与工程系,上海,200433;

复旦大学信息科学与工程学院光科学与工程系,上海,200433;

中国科学院原子核研究所,上海,201800;

中国科学院原子核研究所,上海,201800;

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正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
铁硅; 穆斯堡尔效应; X射线衍射;

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