InGaAs量子点激光器光增益的温度特性

宁永强; 刘云; 王立军; 高欣

首页> 中文期刊> 《红外与毫米波学报》 >InGaAs量子点激光器光增益的温度特性

InGaAs量子点激光器光增益的温度特性

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

研究了非耦合多层InGaAs量子点材料光增益的温度特性,并与InGaAs单量子阱材料进行了对比.发现InGaAs量子点表现出更好的增益温度稳定性.同时发现随着温度升高,在140～200K温度范围内,InGaAs量子点增益峰值首先增大,当温度超过200K后开始减小.对这种增益特性的产生机制进行了分析.增益曲线峰值波长随温度升高单调地向长波长方向移动,与量子阱材料相比具有更好的温度稳定性.

著录项

来源
《红外与毫米波学报》 |2002年第4期|285-288|共4页
作者
宁永强; 刘云; 王立军; 高欣;
展开▼
作者单位

中国科学院激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021;

中国科学院激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021;

中国科学院激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021;

中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130021;

长春光学精密机械学院,高功能半导体激光国防重点实验室,吉林,长春,130022;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光电子技术、激光技术;
关键词
量子点; 光增益; 温度特性;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. InGaAs量子点的自发发射及光增益 [J] . 宁永强 ,高欣 ,等 . 半导体学报 . 2002,第004期
2. 1.06μm InGaAs/InGaAsP量子阱半导体激光器的温度特性 [J] . 李再金 ,芦鹏 ,李特 . 发光学报 . 2012,第006期
3. InGaAs／InGaAsP／InP SAGM—APD暗电流与光倍增因子的温度特性 [J] . 丁国庆 . 光通信研究 . 1990,第004期
4. MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器 [J] . 吴根柱 ,张子莹 ,任大翠 . 半导体学报：英文版 . 2001,第8期
5. InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱激光器及其温度特性研究 [J] . 孙可 ,王健华 ,彭吉虎 . 高技术通讯 . 2000,第002期
6. InGaAs/GaAs量子点光增益特性 [C] . 宁永强 ,高欣 ,刘云 . 第四届中国功能材料及其应用学术会议 . 2001
7. 具有光字增益的量子点微球复合体系制备 [A] . 刘逸卿 . 2015

InGaAs量子点激光器光增益的温度特性

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅