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李泽平; 魏志文; 李东京; 沈静; 伍爱霞;
湖北科技学院 电子与信息工程学院,湖北 咸宁 437100;
赤壁市车埠高级中学,湖北 赤壁 437300;
光子晶体; 出光效率; LED; FEM;
机译:钨纳米掩模形成气隙光子晶体结构的发光二极管的内部量子效率和光提取效率的提高
机译:钨纳米掩模形成的具有气隙光子晶体结构的发光二极管的内部量子效率和光提取效率的提高
机译:具有深孔非晶光子晶体结构的GaN基发光二极管的光提取效率分析
机译:具有光子晶体结构的GaAs发光二极管对GaAs发光二极管外部量子效率的提高
机译:从具有非侵入性二维光子晶体的氮化镓基发光二极管提取光。
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:具有由钨纳米掩模形成的气隙光子晶体结构的发光二极管的内部量子效率和光提取效率
机译:横向电子出射光子的光子散射矩阵元。补充,
机译:具有光子晶体结构的发光二极管的制造方法,该光子晶体结构提高了光子效率
机译:具有光子晶体结构的发光二极管通过集中光的发射方向而获得清晰的光,并且其制造方法
机译:光子晶体结构和包括该光子晶体结构的发光二极管及其制造方法
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