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徐维锋; 刘三清; 应建华; 曹广军;
华中理工大学固体电子学系;
BJNMOS; 杂质分布; 数值模拟; NMOS结构; MOS器件;
机译:精确反映沟道杂质分布的离散表面电势模型及其在超快速杂质浓度变化分析中的应用
机译:具有混合栅极结构(NMOS:杂质限制层/ PMOS:Ni-FUSI by FLA)的高性能亚35nm体CMOSFET混合栅极结构
机译:埋藏沟道NMOS的低温二维模型
机译:从界面陷阱处复合电流的线形中提取亚微米MOS晶体管中的沟道杂质浓度分布
机译:基于极化诱导的二维空穴气的P沟道InGaN / GaN异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:α-螺旋中α-螺旋的α-螺旋和EL沟道结构域的定向分布:单轴对准磷脂双层中的一种和二维15N固态NMR研究
机译:NmOs(N沟道金属氧化物半导体)VLsI(超大规模集成)技术中所选常规结构的比较
机译:具有增强型NMOS和凹陷型MOS的半导体集成电路器件,该凹陷型MOS具有N型沟道杂质区和在N型沟道杂质区下方的P型杂质层
机译:具有N型沟道杂质区和P型杂质层的N型沟道杂质区下具有增强型NMOS和压陷型MOS的半导体集成电路器件
机译:包括至少两个相邻NMOS器件的集成电路-具有隔离沟道区,该隔离沟道区形成在公共衬底上的器件之间,该隔离沟道区被配置为减小连续NMOS器件之间的寄生效应
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