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PTCR半导陶瓷老化后的复阻抗研究

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摘要

根据ＰＴＣＲ半导体陶瓷在湿热条件下的老化试验结果，对ＰＴＣＲ半导体陶瓷老化前后分别提出了不同的等效电路模型，通过对阻抗－频率关系曲线的测量，求出了ＰＴＣＲ半导瓷的特性参数．计算结果表明，老化后室温阻值增加，这主要是电极氧化引起的．对实验结果进行了物理本质的初步探讨．

著录项

来源
《华中科技大学学报：自然科学版》 |1997年第6期|8-9|共2页
作者
龚树萍; 罗勇; 姜胜林; 周东祥;
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作者单位

华中理工大学固体电子学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.82;
关键词
PTCR; 老化; 复阻抗; 半导体陶瓷;

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