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戴宪起; 赵建华; 孙永灿; 危书义; 卫国红;
河南师范大学物理与信息工程学院;
第一性原理; 铊; 硅(111); 吸附; 电荷密度;
机译:Si和C链在无缺陷和有缺陷的Si(111)表面上的吸附的理论研究
机译:通过双层形成对TL / Si(111) - 抑制自旋极化的吸附
机译:在In和Tl吸附的Si(111)根3 x根3-Au表面上进行C-70自组装
机译:Ag(111)对吸附氢离子的理论研究(111)
机译:使用从头算簇计算研究Al在Si(111)表面的吸附以及卤化物/水在电极表面的吸附
机译:Tl / Si(111)1x1上掺杂缺陷的局部电子结构
机译:密度泛函理论研究氯苯对Si(111)-7 7表面的吸附
机译:si(111)和si(100)上pb的理论研究,H-钝化si纳米线的全局搜索,以及mo的高度局域化的准原子最小基轨道的构造
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:Si100 / Si111硅蚀刻剂组合物表现出低Si100 / Si111选择性和低碳化硅蚀刻速率
机译:111在高级栅极电介质上在Si111上生产超薄晶态氮化硅的工艺
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