E_u^+注入单晶硅经快速热退火后的喇曼光谱研究

摘要

喇曼光谱及扫描镜徽区形貌象说明,E_u^+注入(注入能量350Kev,注入剂量2×10^(15) cm^(-2) )n 型单晶硅后,在表面可形成一连续非晶层.经过895℃快速热退火(RTA)可以消除注入损伤,Si 损伤区恢复完整;当快速退火温度为1285℃时,在硅表面存在 E_u 的表面偏析及表面增强喇曼散射(SERS)现象,我们对增强机理进行了讨论.