外电场下GaAs／Ga1—xAlxAs量子阱中激子的结合能

摘要

本文采用推广的LLP变分法研究纵光学声子对处于外电场下量子阱中激子结合能的影响。求出在不同外场及阱宽下的激子结合能。结果显示，纵光学声子对激子结合能有明显的影响。