GaAs/AlxGa1-xAs三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应

摘要

本文选取三量子阱模型，采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs有限深量子阱中势垒厚度对激子行为的影响.
　　首先，简要综述了关于多层材料量子阱结构模型的一些物理性质，总结比较了无限厚势垒量子阱中杂质态和激子态结合能的变化规律以及压力对材料及电子等相关性质影响的研究进展.并对超晶格和多量子阱材料的发展历史和前景作了介绍.在此基础上，提出本文的选题意义，
　　然后，主要探讨了三量子阱系统中激子结合能随系统结构参数（中间阱宽Lw和内侧垒厚Lb）的变化关系，此外，还考虑了势垒高度及压力对结合能的影响.结果表明，当阱宽较大时，结合能随势垒厚度的变化先增加后趋于稳定值.当阱宽较小时，结合能随垒厚则先减至极小值后再增加.上述结论与通常的有限深势阱之结果相差较大，此修正可为相关的理论和实验提供参考.结果还显示，无限厚势垒情形激子结合能随压力线性增加的趋势明显强于有限厚势垒情形.

目录

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摘要

第一章 绪论

§1．1 国内外研究概况

§1．2 论文内容安排

第二章 GaAs／AlxGa1-xAs三量子阱中势垒厚度对激子结合能的影响及其压力效应

§2．1 理论模型

§2．2 物理参数的压力影响

§2．2．1 禁带宽度的压力影响

§2．2．2 电子有效质量的压力影响

§2．2．3 介电常数的压力影响

§2．2．4 晶格振动频率的压力影响

§2．3 数值计算与结果讨论

§2．4 结论

参考文献

致谢

攻读硕士学位期间完成的论文