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王敏娣; 毋志民; 胡爱元; 崔玉亭; 徐建;
重庆师范大学物理与电子工程学院光电功能材料重庆市重点实验室;
Ga掺杂LaCoO3; Co3+自旋态; 电子结构; 第-性原理;
机译:通过第一原理计算对(Ga,N,Ga-N)掺杂石墨烯的电子结构和光学性质的研究
机译:Si掺杂Al0.24Ga0.76As / In0.2Ga0.8As / GaAs伪晶高电子迁移率晶体管结构中界面效应的光反射特性研究
机译:Mg-intertitial掺杂和Mg替代的电子结构和光学性质的比较研究掺杂Al0.25Ga0.75N
机译:GA掺杂到GDCO_2的结构和电子效应:GDCO_(2_X)GA_X的电子结构研究
机译:铁掺杂氧化镓(GA-FE-O)系统的研究:结构性能关系和光学催化应用的性能评价
机译:通过第一性原理计算Al / Ga掺杂ZnO的电子结构和光学性质
机译:Ga掺杂在Ce掺杂的钇铝石榴石上的结构,电子和光谱效应:第一性原理研究
机译:单侧调制掺杂al(0.33)Ga(0.67)as / Gaas / al(0.33)Ga(0.67)作为单量子阱结构的低温电子传输。 (重新公布新的可用性信息)。
机译:检测包括核苷酸序列和装置在内的小生物物体表面上分子组的位置和类型的电子干扰方法(57)本发明涉及检测生物物体的结构,可用于研究小型生物物体的表面结构物体(例如大分子)并检测其上放置的分子的位置和类型。一种装置,包括具有在其上的由非导电材料制成的基底的基底,光电阴极和阳极,其中在其之间存在用于研究对象的位置和电子散射体。光电阴极内至少有一个窗口,该光电阴极区域与窗口相邻,该窗口由功函数降低的材料制成。窗口通过至少一个狭缝连接到光电阴极之外的区域,其长度超过其宽度。在窗口和狭缝区域下方以较小的深度布置有冷却电极,其中在电极和缝隙区域下方布置有加速电极。
机译:(Al,Ga,In)N晶锭的制造方法,单晶,微电子器件结构,(Al,Ga,In)N晶锭,晶片及零件
机译:电子设备的结构的真空溅射法,控制溅射材料和掺杂剂的蒸气的生长结构和生长时的掺杂浓度的控制方法,以实现上述的控制方法,以及基于硅的材料的真空注入的方法蒸气源
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