β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质

张俊刚; 夏长泰; 吴锋; 裴广庆; 徐军; 邓群; 徐悟生; 史宏生

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β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质

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用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析.解释了禁带部分展宽的原因.并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响.β-Ga2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射.

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来源
《功能材料》 |2006年第3期|358-360,363|共4页
作者
张俊刚; 夏长泰; 吴锋; 裴广庆; 徐军; 邓群; 徐悟生; 史宏生;
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作者单位

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;

中国科学院,研究生院,北京100039;

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;

中国科学院,研究生院,北京100039;

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;

通用电气中国研究开发中心有限公司,上海,201203;

通用电气中国研究开发中心有限公司,上海,201203;

通用电气中国研究开发中心有限公司,上海,201203;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类晶体生长工艺;
关键词
浮区法; 宽禁带半导体; β-Ga2O3单晶;

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