MBE生长的GaN的物性

摘要

用分子束外延技术制备了厚度为0.8μm的GaN样品。采用反射高能电子衍射、原子力显微镜和高分辨率X光衍射仪对样品进行了表征分析。研究发现：样品中刃位错密度为2.2×1010cm-2,比螺位错密度高1个数量级;室温光致发光的研究发现很强的带边峰,黄带和蓝带发光比带边峰强度要低1～2个数量级;室温霍尔测量发现迁移率为129 cm2/v.s,载流子浓度为2.421×1014cm-3。实验结果表明,采用MBE方法生长的GaN能有效降低背景浓度,但是晶体质量较差,位错密度较高。