双模板导向印迹复合膜的制备及其回收Nd^3+的研究

摘要

钕(Nd)是钕磁铁的关键部分,从稀土永磁体中分离Nd已经引起了广泛的关注。通过双模板导向离子印迹(DTD-OII)法,加入氧化石墨烯水溶液,制备出一种新型自撑式离子印迹氧化石墨烯复合膜(IGOMs)。与传统印迹方法相比,该方法不需要额外步骤,显著提高印迹效率的同时,制备出的自撑式复合膜还表现出固-液萃取对Nd^3+选择性吸附性能。实验结果表明:在pH=4.0时,IGOMs的Nd^3+最大吸附量为27.27 mg/g。此外,石墨烯的掺杂可以有效提高复合膜柔性和稳定性,使其在工业应用上成为可能。