Ni/AlGaN/GaN结构中肖特基势垒温度特性

张小玲; 谢雪松; 吕长志; 李志国

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Ni/AlGaN/GaN结构中肖特基势垒温度特性

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通过I-V测量研究了AlGaN/GaN异质结构上的肖特基接触与温度的关系.在室温下肖特基势垒高度为0.75 eV,理想因子为2.06.温度升高,肖特基势垒高度增加,理想因子下降,主要原因是受异质结和二维电子气的影响.在正向电流为1 mA时,室温下的正向电压为1.65V, 从室温到300℃范围内正向电压的温度系数为-1.6mV/℃.

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来源
《北京工业大学学报》 |2008年第4期|365-368|共4页
作者
张小玲; 谢雪松; 吕长志; 李志国;
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作者单位

北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022;

北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022;

北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022;

北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100022;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN311.7;
关键词
肖特基接触; AlGaN/GaN; HEMT; 温度特性;

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