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张雄; 范艾杰; 崔一平;
东南大学电子科学与工程学院 先进光子学中心 江苏南京210096;
脉冲流量供给; 非极性a面p-AlGaN; 镁掺杂; 表面形态; 电阻率; 空穴浓度;
机译:非极性a面AlGaN外延层生长中双氮化工艺的研究
机译:在不同面GaN衬底上生长的AlGaN / GaN外延层的光学特性
机译:用各种Al组合物的非极性A面p-AlGaN外延层的电和结构性能研究
机译:HVPE生长的具有高空穴浓度和迁移率的P型GaN外延层和AlGaN / GaN异质结构
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:氢化物气相外延生长在AlN纳米图案蓝宝石模板上的AlGaN外延层的结构和应力特性
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长具有不同夹层的高Al含量AlGaN / GaN多量子阱的子带间吸收特性
机译:alGaN外延层生长的alN模板中漏斗缺陷内的不稳定位错
机译:p型AlGaN半导体层,基于AlGaN的半导体发光元件,基于AlGaN的半导体光接收元件以及形成p型AlGaN半导体层的方法
机译:在单晶氧化物衬底上生长纤锌矿半导体的非极性m面外延层的方法
机译:具有负光电导特性的Ge外延层的生长以及使用该外延层的光电二极管的生长
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