不同减划技术对硅片良率影响的分析研究

摘要

目前随着集成电路技术的不断发展,工业应用等级的不断提高,其芯片硅片朝着高密度、高性能、轻薄化的方向不断发展,CPU芯片甚至已到10纳米以下,集成度非常高。为了满足小型密集化产品的市场需求,IC封装的技术需求,对硅片减薄的地位和要求也越来越高,减划的质量直接影响到芯片晶粒的好坏。本文从不同减划工艺方式,技术参数和特点等,对硅片的减划后的良率影响进行分析讨论。