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不详;
市场需要; 功率器件; 工艺流程; 封装技术; 衬底材料; CMOS技术; 高压电路; 半导体市场;
机译:潜在的$ 45B功率器件市场期待新的基板,封装,工艺流程
机译:三菱电机继续在功率器件技术方面取得进步,IGBT封装技术提高了功率密度,降低了功率损耗,并在智能技术方面取得了进步。
机译:大功率LDMOS器件的新型低成本封装技术
机译:用于新型Finfet电路设计的高效器件仿真和功率优化技术。
机译:理论预测的高导热立方晶Si3N4和Ge3N4:大功率电子设备的有前途的衬底材料
机译:倒装芯片功率MOSFET:新型晶圆级封装技术
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长
机译:在CMOS工艺流程中形成npn和pnp双极晶体管的方法,该方法使双极晶体管的集电极与衬底材料的偏压不同
机译:用于高频衬底材料的聚酰胺酸,用于高频衬底材料的聚酰亚胺,用于高频衬底材料的聚酰亚胺膜,用于高频衬底材料的聚酰亚胺模塑产品,以及高频基板
机译:器件,可控半导体操作方法,确定可控半导体操作条件的方法,检测电流隧穿效应的方法,确定可控半导体操作中的实际和潜在误差的方法,确定操作功率器件能力的方法
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