封装技术

摘要： 碳化硅(SiC)器件的新特性和移动应用的功率密度要求给功率器件的封装技术提出了新的挑战。现有功率器件的封装技术主要是在硅基的绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)等基础上发展起来的,并一直都在演进,但这些渐进改良尚不足以充分发挥SiC器件的性能,因而封装技术需要革命性的进步。在简述现有封装技术及其演进的基础上,主要从功率模块的角度讨论了封装技术的发展方向。同时讨论了功率模块的新型叠层结构以及封装技术的离散化、高温化趋势,并对SiC器件封装技术的发展方向做出了综合评估。

摘要： 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)以其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点引起科研人员的广泛关注并有望应用于电力电子系统中,但其高功率密度和高频特性给封装技术带来极大挑战。传统硅基电力电子器件封装中寄生电感参数较大,会引起开关振荡等问题,使GaN的优良性能难以充分发挥;另外,封装的热管理能力决定了功率器件的可靠性,若不能很好地解决器件的自热效应,会导致其性能降低,甚至芯片烧毁。本文在阐释传统封装技术应用于氮化镓功率电子器件时产生的开关震荡和热管理问题基础上,详细综述了针对以上问题进行的GaN封装技术研究进展,包括通过优化控制电路、减小电感L_(g)、提高电阻R_(g)抑制dv/dt、在栅电极上加入铁氧体磁环、优化PCB布局、提高磁通抵消量等方法解决寄生电感导致的开关振荡、高导热材料金刚石在器件热管理中的应用、器件封装结构改进,以及其他散热技术等。

摘要： 随着集成电路芯片数目和引脚密度的提升,各种封装技术被业界广泛研究和应用。扇出型封装在对芯片晶粒提供物理保护的基础上,将芯片的引脚面积进行扩展,便于和外部元件进行电学连接,并进一步集成其他有源或无源器件,形成功能型系统。面向万物智能互联时代,需要构筑无所不在的交互电子系统,这对于现有的封装技术是很大的挑战。

摘要： “无论是延续摩尔定律,还是拓展摩尔定律,都离不开先进封装技术,先进工艺和先进封装是推动集成电路制造技术的两个引擎。”2021年5月19日,集微龙门阵首次线下论坛举办,在这场以“半导体供应链重整时代下,先进封测的挑战和机遇”为主题的盛会上,厦门大学教授于大全以“新时代先进封装技术”为主题发表演说,将我国封装技术多年发展、“从零到一”的艰辛历程娓娓道来,同时,面向新时代,对封测技术的发展提出自己更高的目标。

摘要： 2022年第5期航空航天电源专辑随着我国航空航天事业的快速发展,航空航天电源面临良好的发展机遇和挑战。航空航天电源具有长寿命、高可靠和适应严酷空间环境要求等特点,需要探索新材料、新器件与高可靠封装技术,高效功率变换技术,智能配电技术,新型发电与储能等技术。为集中展现我国航空航天电源技术发展的最新研究成果,进一步推进我国航空航天电源相关技术的发展,《电源学报》特别推出“航空航天电源”专辑。

摘要： 井筒流场参数是精确分析井筒安全的前提条件,其中井筒温度和压力是关键参数,精确与否直接影响井筒压力的计算精度,对井下复杂工况判断和井筒压力控制意义重大,但是现有的井下随钻参数测量技术成本较高,且无法对井筒温度、压力场进行系统分析。微型芯片技术可以弥补随钻测量技术的不足,实现精度高、数据快、适用范围广的井筒流场参数监测,具有良好的发展应用前景,为此,从测量原理、基础结构、关键技术等方面系统分析了国内外井筒参数测量微型芯片的研究现状,指出现有微型芯片存在的问题,并提出下步发展建议。

摘要： 《电子与封裝》杂志是目前国内唯一一本以半导体、集成电路封装技术为主、兼顾半导体器件和IC的设计与制造、产品与应用以及前沿技术、市场信息等的专业技术性刊物,是中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊、中国半导体行业协会封装分会会刊。

摘要： 【法国法马通公司2022年3月30日报道】法国法马通公司(Framatome)2022年3月30日宣布,该公司已成功研发破损燃料棒水下焊接和封装技术,且这项技术已于2月在比利时多伊尔核电厂得到实际应用。这在全球核工业内尚属首次。在水池中封装燃料棒的过程包括:以遥控方式除水并使用热气干燥燃料棒及钢制容器,然后焊接端塞,并使用超声技术检测焊缝。这一过程完成后,干燥的破损燃料将被封装在耐压钢制容器中,可以转运至干法贮存设施中,不会向外界释放放射性物质。

摘要： 近日,陕西延长石油(集团)有限责任公司杨东元教授团队与西北大学代成义教授团队合作开发的苯与合成气一步法制甲苯/二甲苯技术取得进展。研究团队采用新型金属-分子筛封装技术,实现了多金属与分子筛催化剂材料的纳米级短程复合及连续表面改性。研究发现:采用该催化剂,在反应压力3 MPa、温度450°C、合成气碳/氢摩尔比1∶0.57、合成气体积空速4.71 m 3/(kg·h)、苯体积空速0.525 kg/(kg·h)等优化工艺条件下,苯转化率高于81.0%,甲苯/二甲苯总选择性高于91.0%,并已完成中试规模500 h稳定运行。

摘要： 胰岛移植是治疗1型糖尿病和脆性糖尿病的有效方案之一,但移植后患者需要终身服用免疫抑制剂等缺点,从而限制了胰岛移植的开展。为了克服胰岛移植的生物障碍,开发出具有一定治疗前景的封装策略。虽然胰岛封装不需服用免疫抑制剂,但由于长期缺乏胰岛素的生成等因素,此类方法限制了胰岛封装的临床应用。近年来,关于提高微囊化胰岛移植效果的研究逐渐增多,多种工程策略用于改善包封和移植后胰岛存活成为研究热点。因此,本文就免疫封装技术和新型微胶囊技术在胰岛移植中的应用进行综述,探讨微囊化胰岛移植存在的问题和潜在的改进方法,旨在为微囊化胰岛移植治疗糖尿病的临床应用提供参考。

摘要： 微波/毫米波固态有源相控阵天线在通信、雷达和导航等电子装备中得到广泛应用,三维互联与封装技术是研制小型化、高集成和高可靠微波/毫米波有源相控阵天线MMCM的关键技术.本文通过开展三维多层多芯片热布局优化设计,使MMCM温度分布均匀,保证三维MMCM可靠工作.通过研发含有双面高精度腔体的LTCC多层电路基板,并采用BGA和毛纽扣微波/毫米波垂直互联工艺、激光密封焊接工艺,研制出小型化、高性能和高可靠的三维微波/毫米波多芯片模块,满足新一代微波/毫米波相控阵天线技术要求.

摘要： OLED器件对于水蒸气和氧气非常敏感,因此其封装技术就显得相当重要.除了常用的框胶加干燥剂的封装方法之外,近年来又出现了dam and fill封装、face seal封装、laser frit sealing封装及薄膜封装等新技术,本文对上述新技术进行了介绍.

摘要： N型双面电池，户外工作特性，组件封装技术方向，晶科N型双面封装技术及产品，陶瓷网格技术，POE封装技术，边框双玱技术，透明背板技术，晶科N型双面产品，将逐渐融合材料/电池/组件/系统等新技术，实现更高的发电效率和更低的度电成本。

摘要： 发光显示(AMOLED、AMQLED)具有超薄、高画质、柔性可弯曲等特点,随着市场对显示要求的不断提高,对高分辨率、大尺寸面板的需求量迅速增加.本报告以本实验室的研究成果为基础,重点介绍新型氧化物半导体材料,高质量薄膜的工艺,高迁移率、高稳定性TFT器件制备,高分辨率TFT阵列背板制备,柔性AMOLED显示屏的薄膜封装技术,薄膜应力管控技术,AMOLED和AMQLED显示屏印刷制备技术等.

摘要： 近年是我国宽带网络高速发展阶段,随着各种新业务的不断成熟和大规模部署,网络带宽需求将成倍增长.面对带宽增长的浪潮,现有100G OTN网络容量已日趋饱和.随着超100G OTN技术日渐完善,部署超100G OTN已成为必然趋势.分析超100GOTN系统的发展诉求及技术特点,基于OTN网络的现状对超100G在干线、城域网、大型IDC互联等网络中的应用进行分析探讨,有助于快速构建端到端全光传送网,实现业务的全光承载.

摘要： 近年是我国宽带网络高速发展阶段,随着各种新业务的不断成熟和大规模部署,网络带宽需求将成倍增长.面对带宽增长的浪潮,现有100G OTN网络容量已日趋饱和.随着超100G OTN技术日渐完善,部署超100G OTN已成为必然趋势.分析超100GOTN系统的发展诉求及技术特点,基于OTN网络的现状对超100G在干线、城域网、大型IDC互联等网络中的应用进行分析探讨,有助于快速构建端到端全光传送网,实现业务的全光承载.

摘要： 近年是我国宽带网络高速发展阶段,随着各种新业务的不断成熟和大规模部署,网络带宽需求将成倍增长.面对带宽增长的浪潮,现有100G OTN网络容量已日趋饱和.随着超100G OTN技术日渐完善,部署超100G OTN已成为必然趋势.分析超100GOTN系统的发展诉求及技术特点,基于OTN网络的现状对超100G在干线、城域网、大型IDC互联等网络中的应用进行分析探讨,有助于快速构建端到端全光传送网,实现业务的全光承载.

摘要： 近年是我国宽带网络高速发展阶段,随着各种新业务的不断成熟和大规模部署,网络带宽需求将成倍增长.面对带宽增长的浪潮,现有100G OTN网络容量已日趋饱和.随着超100G OTN技术日渐完善,部署超100G OTN已成为必然趋势.分析超100GOTN系统的发展诉求及技术特点,基于OTN网络的现状对超100G在干线、城域网、大型IDC互联等网络中的应用进行分析探讨,有助于快速构建端到端全光传送网,实现业务的全光承载.

摘要： 近年是我国宽带网络高速发展阶段,随着各种新业务的不断成熟和大规模部署,网络带宽需求将成倍增长.面对带宽增长的浪潮,现有100G OTN网络容量已日趋饱和.随着超100G OTN技术日渐完善,部署超100G OTN已成为必然趋势.分析超100GOTN系统的发展诉求及技术特点,基于OTN网络的现状对超100G在干线、城域网、大型IDC互联等网络中的应用进行分析探讨,有助于快速构建端到端全光传送网,实现业务的全光承载.

摘要： 近年是我国宽带网络高速发展阶段,随着各种新业务的不断成熟和大规模部署,网络带宽需求将成倍增长.面对带宽增长的浪潮,现有100G OTN网络容量已日趋饱和.随着超100G OTN技术日渐完善,部署超100G OTN已成为必然趋势.分析超100GOTN系统的发展诉求及技术特点,基于OTN网络的现状对超100G在干线、城域网、大型IDC互联等网络中的应用进行分析探讨,有助于快速构建端到端全光传送网,实现业务的全光承载.

摘要： 本公开的一个实施例提供一种装置，该装置包括：具有芯的柔性电路基底、在该柔性电路基底的第一侧上在芯上布置的第一焊接掩模和第一迹线，以及在该柔性电路基底的第二侧上在芯上布置的第二焊接掩模和第二迹线。第一侧与第二侧相对。该装置还包括所形成的通过该芯的通孔，用于将该第一迹线电耦合到该第二迹线，以及耦合到该柔性电路基底的第一侧的硬化结构，用于增强该柔性电路基底的结构刚性。该硬化结构提供结构支持以允许将集成电路裸片附接到该柔性电路基底的第一侧。

摘要： 本发明公开了一种基于硅通孔技术的晶圆级大功率LED封装结构及其封装方法，封装结构包括硅载体、LED芯片和散热基板，其特征在于：所述的硅载体设有导电通道和导热通道，导电通道与安置于硅载体上的LED芯片连接，导电通道与设置在硅载体下端的散热基板连接；导热通道作为LED芯片的散热通道与散热基板连接；所述的散热通道与导电通道互不干涉。封装方法包括硅载体的制作方法。本发明降低了封装成本，可实现大批量生产、减少封装体积、节省材料，使电子产品更加小型化；提高电气性能和热可靠性能；提高发光效率，通过通孔及凹槽的工艺制作，可减少光的散射，提高光通量，通过预留出荧光粉涂覆层的位置实现荧光粉配量可控性和操作的方便，提高生产效率。

摘要： 本发明公开了一种基于精密电铸技术的芯片封装方法。包括以下步骤：先选择一基板并前处理，表面金属化；接着根据电路版图，在基板上芯片键合区域预制焊料；再根据电路版图，制作芯片埋置掩膜，精密电铸芯片埋置腔体；最后芯片键合、布线互连。本发明以精密电铸技术实现芯片封装位置与深度的精确控制，定位精度高,腔体尺寸与芯片尺寸匹配,并且埋置腔体底部预制焊料，有效解决芯片在不同材料基板内的低成本、高精度、高效率封装问题。

摘要： 本发明提供了一种集成IPD技术封装的滤波器及封装方法，包括：体声波谐振器区域、盖板区域；所述体声波谐振器区域设置于集成IPD技术封装的滤波器的上半部分；所述盖板区域设置于下半部分；所述盖板区域包括：集总元件；该滤波器可以在完成自身封装的同时实现设定的滤波性能。所述体声波谐振器区域包括：硅衬底、体声波谐振器；所述体声波谐振器设置于硅衬底上。本发明针对所提出的新型滤波器设计了一套合理的加工流程，可以降低工艺复杂度，提高产品的稳定性。

摘要： 本发明涉及用于形成半导体装置封装的技术及相关封装、中间产物及方法。半导体装置封装可包含衬底上方的第一半导体装置及所述第一半导体装置上方的第二半导体装置。所述第二半导体装置的主动表面可背向所述衬底。电互连件可沿着所述第二半导体装置、第一半导体装置及衬底的表面从所述第二半导体装置的接合垫延伸到所述衬底的路由部件的衬垫。所述电互连件可包含接触所述接合垫及所述路由部件的导体及在所述接合垫与所述路由部件的所述衬垫之间介于所述导体与所述第一半导体装置、所述第二半导体装置及所述衬底之间的电介质材料。不同于所述电介质材料的密封剂可覆盖所述电互连件、所述第一半导体装置、所述第二半导体装置及所述衬底的上表面。本发明也揭示制造方法。

摘要： 本发明公开了一种基于有机基板技术的封装工艺及封装结构，所述封装工艺其包括，提供一有机基板，所述有机基板具有第一主面和与第一主面相对的第二主面；在有机基板第一主面形成金属槽，所述金属槽的尺寸与待封装的芯片的尺寸相适应；将所述芯片安装于所述金属槽内；在所述第一主面上形成芯片载板以将所述芯片封装于所述金属槽内；在有机基板的第二主面一侧形成连接芯片的连接垫片的封装管脚。本发明完全采用基板制造技术实现其封装，能够完全与基板工艺技术相兼容；同样该技术在一定程度上解决了该封装技术在后期量产中所预期遇到的问题，进一步推进了该技术产业化。

摘要： 本发明公开一种采用两次封装技术的全新红外接收头及其封装工艺，通过采用一种采用两次封装技术的全新红外接收头对红外接收头进行封装作业，其生产方法包括如下步骤：准备PCB、点银胶、固晶PD、点胶、固IC、烘烤、焊线、一次封装、二次封装、长烤、切割、测试以及编带；采用两次封装技术的全新红外接收头，包括一次封装结构和接收头受光本体，所述基板PCB的表面安装有受光芯片，且受光芯片右侧安装有IC晶元，采用主要成分透红外光屏蔽可见光之环氧树脂进行一次封装，所述二次封装为在一次封装的表面用加硅砂或光全阻断树脂胶对除受光接收窗口外的其他部分进行全方位屏蔽，屏蔽效果更好。

摘要： 本发明涉及一种基于LED倒装芯片封装技术的LED屏封装工艺及LED屏，封装工艺包括在PCB焊接IC、电阻、电容、电源座和连接端子，得到第一PCB；清洗第一PCB，用扩晶机将多个LED倒装芯片均匀扩张；把锡膏印刷在第一PCB上，用固晶机将LED倒装芯片固定在第一PCB上，每3个LED芯片构成一个像素点，并用AOI检测设备检测，检测合格的放进回流焊炉内焊接成第二PCB；用AOI检测设备对第二PCB进行检测，用模压机对检测合格的第二PCB进行真空模压，得到第三PCB，烘烤成型后，再按照所需要的规格尺寸，切除不需要的工艺边，对模组灯面进行涂覆或者贴膜，使表面显示成黑色，提高了产品的对比度、颜色的均匀性与一致性，显示效果更佳。每个像素点只需要6个金属键合点，省掉焊线环节。

摘要： 本发明揭示了一种集成多种塑封技术的超微小化SIP封装产品及封装工艺，其包括上下叠层设置的第一基板与第二基板、导通所述第一基板与所述第二基板的导体支撑件、设置在所述第一基板上下表面与所述第二基板上表面的若干组元器件、将部分或者全部所述元器件包覆在内的且外周轮廓呈立体块状结构的若干塑封部、覆盖在所述塑封部上表面与四周侧表面的电磁屏蔽层。本发明有机结合了选择性塑封、双面塑封以及3D封装技术，将多个基板叠装互连，提高了产品性能的同时实现了超微小化设计。

摘要： 本实用新型公开了一种基于NCSP封装技术的封装装置，它涉及CSP封装工艺领域，钢板表面覆盖一层UV膜，UV膜上蒸镀上相应面积的铜层，铜层表面蒸镀上同等面积的镍层，镍层上蒸镀银层，银层的上方设置有锡膏，倒装芯片贴固在锡膏表面，银层厚度为2.0‑3.0um，三种蒸镀层叠加在一起形成一个产品固晶区域，倒装芯片的上部封装有荧光胶，形成一个半成品，半成品的四周设置有一圈圆形蒸镀铜层。它通过蒸镀工艺来实现产品的基板，其总厚度约为60um，芯片底部焊盘与基板紧密的结合，正负级焊盘中间区域也被荧光胶所填充，从而避免了NCSP灯珠在冷热交替环境下使用自身所产生应力而导致芯片受损，灯珠死灯现象。