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关于降低功率晶体管正向压降VF和提高芯片粘附强度的研究

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摘要

主要阐述了功率晶体管背面多层金属化电极结构,通过降低硅-金属界面态电阻,采用热处理合金手段,进一步降低功率晶体管正向压降VF和热阻Rth增加芯片粘附强度.提高晶体管的可靠性指标.

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来源
《黑龙江科技信息》 |2008年第3期|28193|共2页
作者
董秋杰; 顾志刚;
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作者单位

哈尔滨晶体管厂,黑龙江,哈尔滨,150018;

哈尔滨晶体管厂,黑龙江,哈尔滨,150018;

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正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
功率晶体管; 芯片; 粘附强度;

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