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内部谐波频率降低的RF功率晶体管封装以及形成内部谐波频率降低的RF功率晶体管封装的方法

摘要

一种封装的RF功率器件包括:晶体管,其具有控制端子和输出端子并且被配置成以基本工作频率进行工作;RF信号输入引线,其耦合到控制端子;以及RF信号输出引线,其耦合到输出端子。谐波降低器耦合到该晶体管的控制端子和/或输出端子并且被配置成为基本工作频率的N次谐波频率处的信号提供从控制端子和/或输出端子到地的短路或低阻抗路径,其中N>1。该器件还包括容纳晶体管和谐波降低器的封装,其中输入引线和输出引线从该封装延伸。还公开了多芯片封装。

著录项

  • 公开/公告号CN101785110A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-07-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 克里公司;

    申请/专利号CN200880103997.6

  • 发明设计人 D·法雷尔;S·伍德;

    申请日2008-05-28

  • 分类号H01L23/66(20060101);H03F1/56(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人李娜;李家麟

  • 地址 美国北卡罗来纳州

  • 入库时间 2023-12-18 00:10:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-07-04

    授权

    授权

  • 2010-09-15

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/66 申请日:20080528

    实质审查的生效

  • 2010-07-21

    公开

    公开

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