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玉文林; 薛兵; 殷海丰;
中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220;
变流量吹扫; 硅外延; 电阻率; 边界层; 自掺杂;
机译:低压金属有机气相外延生长Si掺杂AlGaN外延层中光学不均匀性的阴极发光研究
机译:200 MeV Ag-107(14+)离子辐照n-GaAs外延层的原位电阻率研究
机译:评估嵌入式多孔硅层对外延层的整体寿命以及外延层/多孔硅界面处界面复合的影响
机译:高电阻率4H SiC块状晶体和辐射探测器外延层的表面和缺陷相关性研究
机译:分子束外延生长的砷化镓锰外延层和异质结构的电输运研究。
机译:集成低电容二极管的掺砷高电阻率硅外延层
机译:小型收集电极CMOS像素传感器的局部和全横向耗尽高电阻率外延层
机译:alGaas / Gaas异质结构的外延层和衬底界面的成分不均匀性
机译:外延层的掺杂剂浓度的测量方法以及使用该方法的外延层的电阻率的测量方法
机译:测量外延层掺杂浓度的方法和测量外延层电阻率的方法
机译:形成包括第一外延层和形成在具有不同于第二外延层的导电类型的第一外延层之上的第二外延层的反掺杂半导体器件的方法
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